參數(shù)資料
型號： 2SK3669
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 100 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-7J1B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： 2SK3669
2SK3669
2005-03-04
4
Drain
po
w
er
diss
ip
a
tion
P
D
(W
)
Gate
th
res
hol
dvol
ta
ge
V
th
(
V
)
Case temperature Tc (°C)
RDS (ON) – Tc
Drain
-so
u
rc
e
O
N
-r
esi
st
an
ce
R
DS
(ON)
(
)
Drain-source voltage VDS (V)
IDR – VDS
Drain
re
ve
rs
ec
ur
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nt
I DR
(
A
)
Drain-source voltage VDS (V)
Capacitance – VDS
C
apacit
anc
e
C
(p
F)
Case temperature Tc (°C)
Vth – Tc
Case temperature Tc (°C)
PD – Tc
Gate
-so
ur
ce
vo
ltage
V
GS
(
V
)
Total gate charge Qg (nC)
Dynamic input/output characteristics
Dr
ai
n-
so
ur
ce
vo
ltag
e
V
DS
(V
)
10
0
80
160
80
40
2
6
0
120
4
8
Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Pulse test
0
40
80
120
160
0
5
15
20
25
10
25
5
15
20
VDS
0
5
10
15
20
0
20
60
80
100
40
0
VGS
Common source
ID = 10 A
VDD = 80 V
Tc
= 25°C
Pulse test
3
0.1
10
100
1000
3000
300
500
30
50
Coss
Ciss
Crss
Common source
Tc
= 25°C
f
= 1 MHz
VGS = 0 V
10
5
300
30
1
3
0.3
0.1
02.5
1.5
0.5
10
100
1
2
1
VGS = 0, 1 V
1
3
10
Common source
Tc
= 25°C
Pulse test
150
0
80
40
0
40
120
160
80
50
100
200
250
Common source
VGS = 10 V
Pulse test
ID = 10 A
5 A
2.5
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