參數(shù)資料
型號： 2SK3832
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SK3832
2SK3832
No.8015-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
20
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
36
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
180
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
60
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=50V, VGS=10V, ID=30A
42
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=50V, VGS=10V, ID=30A
7.2
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=50V, VGS=10V, ID=30A
9.2
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=30A, VGS=0
1.0
1.2
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2056A
Unclamped Inductive Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PB
15.6
2.6
3.5
1.2
14.0
1.6
1.0
2.0
0.6
20.0
15.0
1.3
3.2
4.8
2.0
0.6
5.45
1.4
1
2
3
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=15A
RL=3.3
VDD=50V
VOUT
2SK3832
VIN
10V
0V
VIN
50
15V
0V
≥50
RG
DUT
VDD
L
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
IT07709
IT07710
0.5
0
1.0
3.0
2.5
2.0
1.5
3.5
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
6.0
4.0V
VGS=3.0V
Tc=
25
°C
6.0V
8.0V
10V
75
°C
Tc=
--25
°C
25
°C
Tc=
-
-25
°C
75
°C
25
°C
VDS=10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK3983-01L 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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2SK3847(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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