參數(shù)資料
型號： 2SK3834
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 60 A, 100 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 38K
代理商： 2SK3834
2SK3834
No.8017-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
45
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
140
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
465
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
180
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=50V, VGS=10V, ID=60A
117
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=50V, VGS=10V, ID=60A
20
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=50V, VGS=10V, ID=60A
25.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=60A, VGS=0
1.1
1.5
V
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2056A
Unclamped Inductive Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PB
15.6
2.6
3.5
1.2
14.0
1.6
1.0
2.0
0.6
20.0
15.0
1.3
3.2
4.8
2.0
0.6
5.45
1.4
1
2
3
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=30A
RL=1.67
VDD=50V
VOUT
2SK3834
VIN
10V
0V
VIN
50
15V
0V
≥50
RG
DUT
VDD
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3882-01 100 A, 150 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AA
2SK3983-01SJ 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3983-01L 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3990-01L 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3990-01SJ 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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2SK3847(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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