參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3992-ZK-E2
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： 2SK3992-ZK-E2
Data Sheet D17321EJ1V0DS
2
2SK3992
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 25 V, VGS = 0 V
10
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
±100
nA
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
2.0
2.5
3.0
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 16 A
12
S
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 32 A
3.4
4.8
m
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)2
VGS = 5.0 V, ID = 16 A
5.9
10.8
m
Input Capacitance
Ciss
2900
pF
Output Capacitance
Coss
640
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS = 10 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
440
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
21
ns
Rise Time
tr
26
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
69
ns
Fall Time
tf
VDD = 12.5 V, ID = 32 A
VGS = 10 V
RG = 10
32
ns
Total Gate Charge
QG
56
nC
Gate to Source Charge
QGS
11
nC
Gate to Drain Charge
QGD
VDD = 20 V
VGS = 10 V
ID = 64 A
19
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 64 A, VGS = 0 V
0.94
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 64 A, VGS = 0 V
38
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
s
44
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
VGS = 20
→ 0 V
PG.
RG = 25
50
D.U.T.
L
VDD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
RL
VDD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
RG
PG.
IG = 2 mA
50
D.U.T.
RL
VDD
ID
VDD
IAS
VDS
BVDSS
Starting Tch
VGS
0
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
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PDF描述
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