參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK4070-ZK-E2-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： 2SK4070-ZK-E2-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
4
2SK4070
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
V
GS
= 20 V
Pulsed
10 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
-
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
150
°
C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
G
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
f
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
ch
=
55
°
C
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
150
°
C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
D
Ω
6
8
10
12
14
16
18
20
0
5
10
15
20
I
D
= 1.0 A
0.5 A
Pulsed
V
GS
– Gate to Source Voltage - V
D
Ω
6
8
10
12
14
0.01
0.1
1
10
V
GS
= 10 V
20 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
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PDF描述
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