參數(shù)資料
型號： 2SK4070-ZK-E2-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場效應管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： 2SK4070-ZK-E2-AY
Data Sheet D18785EJ2V0DS
5
2SK4070
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
5
10
15
20
25
-50
0
50
100
150
I
D
= 1.0 A
0.5 A
V
GS
= 10 V
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
i
,
o
,
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage – V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
Ω
I
D
- Drain Current - A
D
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
V
GS
I
D
= 1.0 A
V
DD
= 450 V
250 V
150 V
Q
G
– Gate Chage - nC
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
F
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
V
F(S-D)
– Source to Drain Voltage - V
r
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
– Diode Forward Current - A
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