參數(shù)資料
型號: 2SK4078-ZK-E1-AY
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝: LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 178K
代理商: 2SK4078-ZK-E1-AY
Data Sheet D18885EJ1V0DS
4
2SK4078
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
D
rain
Curre
nt
-
A
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Drain
Cu
rr
ent
-A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
012
345
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(o
ff)
-
Gate
to
S
our
ce
Cut
-o
ffVoltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-100
-50
0
50
100
150
200
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
Forwa
rd
Tr
ansfer
Admi
ttance
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25
°C
75
°C
150
°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(on)
-Dr
ai
nto
S
our
ce
O
n-
st
at
e
Re
si
st
an
ce
-m
Ω
0
4
8
12
16
20
1
10
100
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS
(on)
-D
rain
to
S
ou
rc
eOn-s
tate
Resis
tance
-
m
Ω
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 10 A
25 A
50 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相關PDF資料
PDF描述
2SK4078-ZK-E1-AY 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4080(1)-S27-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK4080-ZK-E2-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4080-ZK-E2-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4080-ZK-E1-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK4078-ZK-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK408 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS FET
2SK4080-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4080-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK4081 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET