參數(shù)資料
型號(hào)： 2ST1480FP
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： 2ST1480FP
Absolute maximum ratings
2ST1480FP
2/7
Doc ID 16856 Rev 1
1
Absolute maximum ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
80
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
80
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
5
A
ICM
Collector peak current
10
A
IB
Base current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C
25
W
TSTG
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case ___ _Max
5
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2STA1943 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5200 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5948 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2ST2121 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2ST31A 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2ST501T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2ST5949 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2ST5949_0807 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
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