參數(shù)資料
型號： 2ST2121
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 134K
代理商： 2ST2121
November 2008
Rev 5
1/8
8
2ST2121
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = -250 V
■ Complementary to 2ST5949
■ Typical ft = 25 MHz
■ Fully characterized at 125
oC
Applications
■ Audio power amplifier
Description
The device is a PNP transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Table 1.
Device summary
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-3
1
2
Order code
Marking
Package
Packaging
2ST2121
TO-3
tray
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STA1943 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5200 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5948 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2ST31A 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low voltage NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2ST5949 功能描述:兩極晶體管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2STA1694 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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