參數(shù)資料
型號： 2STA1943
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封裝： ROHS COMPLIANT, SC08810, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： 2STA1943
2STA1943
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = -230 V
-5
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = -5 V
-5
A
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300 s, duty cycle < 1.5%
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = -50 mA
-230
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = -100 A
-230
V
V(BR)EBO
(1) Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -1 mA
-5
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = -8 A
IB = -800 mA
-3
V
VBE
Base-emitter voltage
IC = -7 A
VCE = -5 V
-1.5
V
hFE
DC current gain
IC = -1 A
VCE = -5 V
IC = -7 A
VCE = -5 V
80
35
160
ton
ts
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
VCC = -60 V IC = -5A
IB1= -IB2 = -0.5 A
0.24
1.2
0.21
s
fT
Transition frequency
IC = -1 A
VCE = -5 V
30
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V f = 1 MHz
225
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STC5200 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
2STC5948 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2STA1962 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STA2120 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STA2121 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STA2510 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STB121PM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRIVE IC
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*