參數(shù)資料
型號: 2STD1665-1
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 6 A, 65 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝: ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù): 5/11頁
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代理商: 2STD1665-1
2STD1665
3/11
1
Electrical ratings
Table 3.
Thermal data
Table 2.
Absolute maximum rating
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
150
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
65
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
7
V
IC
Collector current
6
A
ICM
Collector peak current (tP < 5ms)
20
A
IB
Base current
1
A
Ptot
Total dissipation at Tc = 25 °C
15
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-amb Thermal resistance junction-case
__max
8.33
°C/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2STD2360 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power transistors
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2STF1340 功能描述:兩極晶體管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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