參數(shù)資料
型號： 2STD1665-1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 65 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： 2STD1665-1
Electrical characteristics
2STD1665
4/11
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 120 V
TC = 100 °C
50
1
nA
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 7 V
10
nA
V(BR)CBO
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤1.5%.
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = 100 A
150
V
V(BR)CEO
(1)
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = 10 mA
65
V
V(BR)EBO
(1)
Emitter-base
breakdown voltage
(IC = 0)
IE = 100 A
7V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 100 mA
IB = 5 mA
IC = 1 A
IB = 50 mA
IC = 2 A
IB = 50 mA
IC = 6 A
IB = 150 mA
IC = 6 A
IB = 300 mA
50
100
260
230
50
120
200
600
380
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 4 A
IB = 200 mA
11.15
V
VBE(on)
(1)
Base-emitter On
voltage
IC = 4 A
VCE = 1 V
0.85
1
V
hFE
DC current gain
IC = 10 mA
VCE = 1 V
IC = 2 A
VCE = 1 V
IC = 5 A
VCE = 1 V
IC = 10 A
VCE = 1 V
150
90
30
320
310
175
65
350
CCBO
Collector-base
capacitance
VCB = 10 V
f = 1 MHz
45
pF
tON
ts
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
IC = 3 A
VCC = 10 V
IB1 = -IB2 = 0.3 A
90
800
90
ns
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