參數(shù)資料
型號: 2STF1360
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù): 10/11頁
文件大小: 276K
代理商: 2STF1360
Package mechanical data
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
8/11
Doc ID 11783 Rev 2
SOT-89 mechanical data
Dim.
mm
Min.
Typ.
Max.
A
1.40
1.60
B
0.44
0.56
B1
0.36
0.48
C0.35
0.44
C1
0.35
0.44
D
4.40
4.60
D1
1.62
1.83
E2.29
2.60
e
1.42
1.57
e1
2.92
3.07
H
3.94
4.25
K1°
L0.89
1.20
R0.25
7098166_C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STN1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2STF1550 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN5551 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STP535FP 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
2STF1525 功能描述:TRANS NPN 25V 5A SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2STF1550 功能描述:兩極晶體管 - BJT LO VLT HI PRM PW TRN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STF1550_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors
2STF2220 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STF2220_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor