參數(shù)資料
型號: 2STL1360
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 619K
代理商: 2STL1360
2STL1360, 2STX1360
Electrical characteristics
Doc ID 11763 Rev 3
3/10
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
2.1
Electrical characteristics (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 80 V
100
nA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 6 V
100
nA
VBE(on)
Base-emitter on voltage
VCE = 2 V
IC = 100 mA
630
650
730
mV
VCE(sat)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 2 A
IB = 100 mA
IC = 3 A
IB = 150 mA
130
180
300
500
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 2 A
IB = 100 mA
0.9
1.2
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 0.1 A
VCE = 2 V
IC = 1 A
VCE = 2 V
80
160
400
td
tr
ts
tf
RESISTIVE LOAD
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
VCC = 10 V
IC = 3 A
IB(on) = - IB(off) = 300 mA
VBE(off) = - 5 V
17
81
620
54
20
100
720
65
ns
fT
Transition frequency
IC = 0.1 A
VCE = 10 V
130
MHz
Figure 2.
DC current gain (VCE = 5 V)
Figure 3.
DC current gain (VCE = 2 V)
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2STL1525-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2STN1360 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2