參數(shù)資料
型號(hào)： 30A01SP
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
中文描述： 低頻通用放大器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： 30A01SP
30A01SP
No.7512-2/4
0
0
--20
--40
--60
--80
--100
--120
--140
--160
--180
--200
IC -- VCE
IT04096
IT04098
IT04097
IT04099
--0.2
--0.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--1.0
--1.2
--0.6
--0.8
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
IC -- VBE
10
hFE -- IC
2
3
5
7
--1.0
--10
2
3
5
7--100
2
3
5
7--1000
100
2
3
5
1000
7
2
3
5
7
--10
2
3
5
7
--1.0
--10
2
3
5
7--100
2
3
5
7--1000
--100
2
3
5
--1000
7
2
3
5
7
VCE(sat) -- IC
IB=0
--0.2mA
--0.4mA
--0.6mA
--0.8mA
--1.0mA
-0A
IC / IB=20
VCE= --2V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
Ta=75
°
C
--25
°
C
-18mA
-16mA
--1.4mA
--1.2mA
25
°
C
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Collector Current, IC -- mA
D
Collector Current, IC -- mA
C
S
--100
--200
--300
--400
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
VCE= --2V
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
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Ratings
typ
520
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
fT
VCE=--10V, IC=--50mA
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--100mA, IB=--5mA
IC=--100mA, IB=--5mA
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Cob
3
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
--110
--0.9
--220
--1.2
--30
--30
--5
39
200
48
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC= --12V
VBE=5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2= --100mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
30A02SS Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A SCHOTTKY RECTIFIER
30BF20 SURFACE MOUNTABLE ULTRAFAST RECOVERY DIODE
30BQ015PBF SCHOTTKY RECTIFIER 3 Amp
30BQ015 Toggle Switch; Circuitry:SPDT; Switch Operation:On-Off-On; Contact Current Max:6A; Actuator Style:Flat Lever; Switch Terminals:Solder Lug/Quick Connect; Current Rating:6A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Panel RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
30A01SS-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 0.3A 3SSFP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
30A02CH 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02CH-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
30A02MH 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02MH-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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