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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK319 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管超高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 3SK319 |
3SK319
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
UHF RF Amplifier
ADE-208-602(Z)
1st. Edition
February 1998
Features
Low noise characteristics;
(NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz)
Excellent cross modulation characteristics
Capable low voltage operation; +B= 5V
Outline
MPAK-4
1
4
3
2
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
Note: Marking is “YB–”.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SMAJ5913B | 3.0 Watt Surface Mount Silicon Zener Diodes |
| 3T010 | DIL 14 PIN SINGLE OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK319YB-TL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.02A 4-Pin(3+Tab) MPAK T/R |
| 3SK320 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK323 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
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