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參數(shù)資料
| 型號： | 4AK15 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場效應(yīng)管陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 4AK15 |
4AK15
5
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
2
1
05
4
8
12
16
20
0
Drain
Current
I
D
(A)
TC= 25°C
75°C
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage VGS (V)
8
4
2
010
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
Pulse Test
ID = 5 A
20 A
10 A
10
Drain Current ID (A)
20
5
2
100
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.005
50
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
VGS = 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature TC (°C)
120
40
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
ID = 10 A
5 A
20 A
Pulse Test
VGS = 4 V
VGS = 10 V
10 A
5 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AK16 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK18 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK20 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AK16 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK19 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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