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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4AK19 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 4AK19 |
4AK19
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-727 (Z)
1st. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
N Channel:
R
DS(on) ≤ 0.5 , VGS = 10 V, ID = 2.5 A
R
DS(on) ≤ 0.6 , VGS = 4 V, ID = 2.5 A
4 V gate drive devices.
High density mounting
Outline
SP-10
1, 10.
Source
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain
1
2
3
4 5
6
7 8
9
10
G
3
S
G
5
G
7
G
9
S
2
1
D
4
6
8
10
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參數(shù)描述 |
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