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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4AM12 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
| 中文描述： | 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列（不適用溝道/頁溝道功率MOSFET的陣列） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | 4AM12 |
4AM12
2
Outline
SP-10
2 G
1 S
4
G
6
G
8
G
3
D
5
D
7
D
9
D
S 10
1, 10.
Source
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain
1
2
3
4 5
6
7 8
9
10
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (1 Unit)
Rating
Item
Symbol
Nch
Pch
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
–60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
8–8
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
32
–32
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
8–8
A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25°C)*
2
28
W
Channel dissipation
Pch*
2
4W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 Devices operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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