參數(shù)資料
型號(hào): 4N33-X009
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Optocoupler with Photodarlington Output
中文描述: 與Photodarlington光耦輸出
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商: 4N33-X009
4N32/ 4N33
Document Number 83736
Rev. 1.4, 26-Jan-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Output
1) Indicates JEDEC registered values
Coupler
Current Transfer Ratio
Switching Characteristics
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-emitter breakdown
voltage1)
IC = 100 A, IF = 0
BVCEO
30
V
Collector-base breakdown
voltage1)
IC = 100 A, IF = 0
BVCBO
50
V
Emitter-base breakdown
voltage1)
IC = 100 A, IF = 0
BVEBO
8.0
V
Emitter-collector breakdown
voltage1)
IC = 100 A, IF = 0
BVECO
5.0
10
V
Collector-emitter leakage
current
VCE = 10 V, IF = 0
ICEO
1.0
100
nA
IC = 0.5 mA, VCE = 5.0 V
hFE
13
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Colector emitter saturation
voltage
VCEsat
1.0
V
Coupling capacitance
1.5
pF
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Current Transfer Ratio
VCE = 10 V, IF = 10 mA,
CTR
500
%
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Turn on time
VCC = 10 V, IC = 50 mA
ton
5.0
s
Turn off time
IF = 200 mA, RL = 180
toff
100
s
Figure 1. Normalized Non-saturated and Saturated CTRCE vs.
LED Current
i4n32-33_02
.1
1
10
100
1000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Vce =1V
Vce=5V
IF - LED Current - mA
NCTRce
-
N
ormalized
CTRce
Vce=5V
IF =10mA
Ta = 25°C
Normalized to:
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated Collector-
Emitter Current vs. LED Current
i4n32-33_03
100
1
.1
.001
.01
.1
1
10
Vce=1V
Vce=5V
IF - LED Current - mA
NIce
-
Normalized
Ice
Ta = 25°C
IF = 10 mA
Vce=5V
Normalized to:
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4N33 Optocoupler with Photodarlington Output
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參數(shù)描述
4N33-X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N33-X017 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N33-X017T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 OPTOCPLR 6PIN DARL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35 SHORT 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P