參數(shù)資料
型號(hào)： 6HP04MH
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
中文描述： P溝道MOSFET的硅通用開(kāi)關(guān)設(shè)備
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： 6HP04MH
6HP04MH
No. A0368-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--120mA
IS=--120mA, VGS=0V
1.6
0.4
0.16
--0.85
nC
nC
nC
V
--1.2
Package Dimensions
unit : mm
7019A-003
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --60mA
RL=500
VDD= --30V
VOUT
6HP04MH
VIN
0V
--10V
VIN
Rg
Rg=5k
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0
0
0
2
1
2.0
0.65
0.3
0
0.15
1
2
3
0 to 0.02
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
RDS(on) -- Ta
S
O
ID -- VGS
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
-80V
D
0
0
--20
--40
--60
--80
--120
--0.4
--100
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
VGS= --2.5V
-40V
-1.V
-30V
0
0
--40
--20
--0.5
--60
--80
--1.0
--100
--120
--2.0
--1.5
--3.0
--2.5
--3.5
VDS= --10V
IT10865
IT10866
-
°
C
2
°
C
T=5
°
C
-50V
-1.V
--60
0
6
4
2
8
10
12
14
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
IT10868
160
ID=-30mA VGS=-4V
ID= -60mA, VGS= -10V
0
8
--2
10
--4
12
--6
--8
14
0
2
4
6
--10
--12
--16
--14
--18
IT10867
--20
Ta=25
°
C
ID= --30mA
--60mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6LN04MH N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
6LP04MH P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
6MBI100F-060 IGBT MODULE
6MI100F-060 IGBT MODULE
6MBI100L-060 IGBT MODULE(L series)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
6HP04MH-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape
6HP04MH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V .37A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:370mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
6HP04S 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
6HP04SS 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
6HP04SS-TL-H 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape
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