參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI50F-060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT(600V 50A)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： M616, 19 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 119K
代理商： 6MBI50F-060
IGBT Module
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
6MBI50UA-120
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=600V, Ic=50A, Tj= 25°C
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=100A
Ic=50A
Ic= 25A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI50L-060 IGBT(600V 50A)
6MBI50L-120 THERMISTOR GLASS 2K OHM DO-35
6MBI50F-120 IGBT(1200V 50A)
6MBI50S-140 IGBT Module
6MBI50S-120 IGBT(1200V/50A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
6MBI50F-120 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT(1200V 50A)
6MBI50FA060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
6MBI50FA-060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
6MBI50J060 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
6MBI50J120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C)
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