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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI50S-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT(1200V/50A) |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-17 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | 6MBI50S-120 |
IGBT Module
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
6MBI50UA-120
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=600V, Ic=50A, Tj= 25°C
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=100A
Ic=50A
Ic= 25A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75U4B-120 | 13IGBT MODULE |
| 6MBI75UB-120 | IGBT Module |
| 6MBI75F-060 | IGBT(600V 75A) |
| 6MBI75L-060 | IGBT(600V/75A) |
| 6MBI75S-120 | IGBT(1200V/75A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 6MBI50S-140 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI50S-140_01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI50U4A-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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