參數(shù)資料
型號(hào)： 74HCT1G32GW,125
廠商： NXP Semiconductors
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC 2-INPUT OR GATE SOT353
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Logic Packages
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
系列： 74HCT
邏輯類(lèi)型： 或門(mén)
電路數(shù)： 1
輸入數(shù)： 2
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電流 - 靜態(tài)（最大值）： 20µA
輸出電流高，低： 2mA，2mA
邏輯電平 - 低： 0.8V
邏輯電平 - 高： 2V
額定電壓和最大 CL 時(shí)的最大傳播延遲： 10ns @ 4.5V，50pF
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 5-TSSOP
封裝/外殼： 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353
包裝： 帶卷 (TR)
CS35L01/03
DS909F1
9
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - ALL OPERATIONAL MODES
Note:
6. No external loads should be connected to the LFILT+ net. Any connection of a load to this point may
result in errant operation or performance degradation in the device.
7. When VBATT is below this threshold (VBLIM), operation is automatically restricted to SD mode.
8. When operating in HD or FHD mode and the differential input voltage remains below the input level
threshold (VIN-LDO) for a period of time (tLDO), the PWM outputs will be powered by the internally
generated LDO supply (VLDO).
9. When operating in HD or FHD mode and the differential input voltage is above this input level
threshold (VIN-VBATT), the PWM outputs will be powered directly from the VBATT supply.
10. Refer to Section 5.5 for more information on Thermal Error functionality.
11. Under Voltage Lockout is the threshold at which a decreasing VBATT supply will disable device
operation.
Parameters
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Max. Current from LFILT+
ILFILT+
-10
-
A
LFILT+ Output Impedance
ZLFILT+
-0.7
-
VBATT Limit for HD/FHD Mode
VBLIM
-3.0
-
VDC
Input Level for Entering LDO Operation in
HD/FHD Modes
VIN-LDO
CS35L03
CS35L01
-
0.015VBATT
0.029VBATT
-
Vrms
Input Level for Entering VBATT Operation in
HD/FHD Modes
VIN-VBATT
CS35L03
CS35L01
-
0.09
0.19
-
Vrms
LDO Entry Time Delay
tLDO
-
1200
-
ms
LDO Level for HD/FHD Modes
VLDO
-1.0
-
V
Output Offset Voltage
VOFFSET Inputs AC coupled to GND
-+/-1.5
-
mV
Amplifier Gain
AV
CS35L03
CS35L01
-
12
6
-
dB
Shutdown Supply Current
IA(SD)
SD = Low
-0.05
-
A
MOSFET On Resistance
RDS(ON) Ibias = 0.5 A
-270
-
m
Thermal Error Threshold
TTE
-150
-
C
Thermal Error Retry Time
RTE
-100
-
ms
Under Voltage Lockout Threshold
UVLO
-
2.0
-
V
Operating Efficiency
Output Levels at 10% THD+N
8
+
33
H
Load
VBATT = 5 VDC
-
92
-
%
VBATT = 3.7 VDC
-
91
-
%
4
+
33
H
Load
VBATT = 5 VDC
-
87
-
%
VBATT = 3.7 VDC
-
86
-
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-B4V-MX-S CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VE-B4L-MX-S CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
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參數(shù)描述
74HCT1G32GW-G 功能描述:邏輯門(mén) 2-INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
74HCT1G32GW-Q100H 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:74HCT1G32GW-Q100/UMT5/REELR// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:IC GATE OR 2-INPUT 5TSSOP
74HCT1G32GW-R 功能描述:邏輯門(mén) 2-INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
74HCT1G66GV 功能描述:模擬開(kāi)關(guān) IC 3.3V SINGLE ANALOG SWITCH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:2 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 開(kāi)啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
74HCT1G66GV,125 功能描述:模擬開(kāi)關(guān) IC 3.3V SINGLE ANALOG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:2 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 開(kāi)啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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