參數(shù)資料
型號： 7MBR15SA-120
英文描述： MCU CMOS 20LD LOW PWR, 0C to +70C, 20-SSOP 208mil, TUBE
中文描述： IGBT的
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 833K
代理商： 7MBR15SA-120
H04-004-03a
15
MS6M 0802
a
10
Vcc=300V
，
Ic=100A
，
Tj= 25°C
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
[ Inverter ]
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
[ Inverter ]
[ Inverter ]
[ Inverter ]
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V 12V
10
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=200A
Ic=100A
Ic= 50A
0.10
1.00
10.00
100.00
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
C
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
G
相關PDF資料
PDF描述
7MBR15SA-140 MCU CMOS 18LD LOW PWR, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE
7MBR100SB-060 MCU CMOS 14LD 1K 20MHz, -40C to +85C, 14-PDIP, TUBE
7MBR20UE-060 MCU CMOS 18LD .5K EPRM, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE
7MBR25NE-120 MCU CMOS 18LD .5K EPRM, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE
7MBR25NF120 MCU CMOS 20LD .5K EPRM, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE
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7MBR15SA120D-01 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module
7MBR15SA140 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Power Integrated Module
7MBR15SA-140 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:7 PIM IGBT
7MBR15SA140_01 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE
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