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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 934056850118 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SMD, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 934056850118 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ105AB
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb = f(t); parameter δ = tp/T
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
clamp < 700V; Vcc = 150V; -Vbe = 5V,3V & 1V;
L
B = 1H; LC = 200H.
Fig.15. Reverse bias safe operating area (T
j < Tjmax)
for -V
BE = 5V,3V & 1V.
10
Zth(j-mb)
(K/W)
1
10-1
10-2
δ =
0.5
0.2
0.1
Single pulse
0.05
0.02
tp
T
P
t
T
δ =
1
10
10-1
10-2
10-3
10-4
tp (s)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCEclamp/V
IC/A
-5V
-3V
-1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
October 2001
5
Rev 1.000
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PDF描述 |
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