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AON4807_101

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AON4807_101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH DUAL DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • 2 個 P 溝道(雙)
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 4A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 68 毫歐 @ 4A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 10nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 1.9W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-VDFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(3x2)
  • 標準包裝
  • 3,000
AON4807_101 技術(shù)參數(shù)
  • AON4807_001 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4807 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:3,000 AON4803 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:3,000 AON4705L 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON4703 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(3x2) 標準包裝:1 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236
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