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AON6760

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • AON6760
    AON6760

    AON6760

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • AOS

  • 近兩年生產(chǎn)

  • DFN-8

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠

  • AON6760
    AON6760

    AON6760

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 14990

  • ALPHA & O

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AON6760
    AON6760

    AON6760

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • DFN5x6

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
AON6760 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaMOS
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 28A（Ta），36A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 3.9 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 70nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 3440pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD，扁平引線
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN（5x6）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON6760 技術(shù)參數(shù)
  • AON6758_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6758_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6758_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6758_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），32A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6758 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1975pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6812 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L AON6884L_002 AON6906A AON6908A AON6910A AON6912A AON6912ALS AON6914 AON6916 AON6918 AON6920_001 AON6922 AON6924 AON6926
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