AON6764

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封裝
批號
價格
說明
操作

AON6764
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4660
AOS/萬代
QFN
2202+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

AON6764
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
DFN5x6_8L EP1
NA
-
原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
最後搶購
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
85A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
37nC @ 1V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2120pF @ 15V
FET 功能
肖特基二極管（體）
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標準包裝
3,000

AON6764 技術參數(shù)

AON6760 功能描述:MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Ta），36A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3440pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6758_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6758_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6758_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6758_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），41W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L AON6884L_002 AON6906A AON6908A AON6910A AON6912A AON6912ALS AON6914 AON6916 AON6918 AON6920_001 AON6922 AON6924 AON6926 AON6928