AON7403L_001

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
11A（Ta），29A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
18 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
24nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1400pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（3x3）
標準包裝
1

AON7403L_001 技術(shù)參數(shù)

AON7403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），29A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:1 AON7402L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta），39A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:1 AON7402_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta），39A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:5,000 AON7402 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta），39A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:5,000 AON7401 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標準包裝:1 AON7414 AON7416 AON7416_101 AON7418 AON7418A AON7421 AON7422E AON7422E_101 AON7422G AON7423 AON7424 AON7426 AON7428 AON7430 AON7432 AON7436 AON7440 AON7442