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APT80GA60B
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15862
APTMICROSEMI
TO-247..
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

APT80GA60B
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT80GA60BMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

APT80GA60B
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
14
MICROSEMI
2010
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

APT80GA60B
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配單，只做原裝

APT80GA60B
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT80GA60B
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
192
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

APT80GA60B
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

APT80GA60B
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT80GA60B
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TO-247B
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

APT80GA60B
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

APT80GA60B
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

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功能描述
IGBT 600V 143A 625W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT80GA60B 技術(shù)參數(shù)

APT80F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:84A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:598nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23994pF @ 25V 功率 - 最大值:961W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8075BN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 6.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT8024LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT8024LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT8024JLL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:29A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4670pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B