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APTC90H12SCTG

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTC90H12SCTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90DSK12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90DAM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):59A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90DAM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):59A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V FET 功能:超級結(jié) 功率耗散(最大值):462W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM60T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):59A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK
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