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APTC90HM60T3G

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  • APTC90HM60T3G
    APTC90HM60T3G

    APTC90HM60T3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
APTC90HM60T3G 技術參數(shù)
  • APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTC90H12T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90H12SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC90DSK12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF
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