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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A28F400BR-B |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (512K x8) Boot Block Flash Memory(4兆位(512K x8) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）開機(jī)區(qū)塊快閃記憶體（4兆位（為512k × 8）引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/36頁(yè) |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | A28F400BR-B |
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A28F400BR-T/B
E
4
ADVANCE INFORMATION
REVISION HISTORY
Number
Description
-001
Initial release of datasheet
-002
Changed RP# AC Characteristics
Changed V
LKO
to 3.5V
-003
Changed definition of t
5VPH
in Section 5.1
Changed I
CCS
, I
CCD
and V
LKO
specifications
Added Table 11, I/O capacitance
Added rise and fall time limits to Figure 7
Changed t
PHEL
from a Max timing to a Min
-004
Increased maximum program/erase cycles for parameter blocks to 30,000
Corrected flowcharts in Figures 4 and 5
Reformated Section 5.1
Increased I
IL
to
±
5 μa
Removed Table 15. Erase and Program Timings.
Added new Table 15. Reset Timings, and Figure 13 Reset Waveforms
-005
t
WHAX
Spec changed from 10 ns to 0 ns
Minor changes throughout document
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A28F400BR-T | 4-MBIT (256K x16) Boot Block Flash Memory(4兆位 (256K x16)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A28F400BX-B | 4-MBIT (512K x8) Boot Block Flash Memory(4兆位(512K x8) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A6FLR10MS02 | FAST RECOVERY DIODES |
| A6FLR20MS02 | CAP 220PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK R-MIL-PRF-39014 |
| A6FLR40MS02 | FAST RECOVERY DIODES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A28F400BR-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K X 16. 512K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F400BR-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:A28F400BR-T/B |
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| A28F400BX-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4-MBIT (256K x16. 512K x8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F400BX-T | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT 256K x16, 512K x8 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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