2-24 Revision 13 Table 2-26 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
參數(shù)資料
型號: A3P250-1FG256T
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 153/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 250K 256-FBGA
標準包裝: 90
系列: ProASIC3
RAM 位總計: 36864
輸入/輸出數(shù): 157
門數(shù): 250000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 125°C
封裝/外殼: 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 256-FPBGA(17x17)
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ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-24
Revision 13
Table 2-26 Summary of I/O Timing Characteristics—Software Default Settings
–2 Speed Grade, Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI (per standard)
Standard I/O Banks
I/O Standard
D
rive
S
tre
ng
th
Equiv
.Sof
tware
Default
Dri
v
eS
tre
ng
th
Opt
ion
1
Slew
Rate
C
ap
a
citive
L
o
a
d
(pF
)
Ex
tern
al
Re
sistor
t DO
UT
(ns)
t DP
(ns)
t DI
N
(ns)
t PY
(ns)
t EOUT
(ns)
t ZL
(ns)
t ZH
(ns)
t LZ
(ns)
t HZ
(ns)
Un
it
s
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
8 mA
High
35
0.45 3.29 0.03 0.75 0.32 3.36 2.80 1.79 2.01
ns
3.3 V LVCMOS
Wide Range2
100 A 8 mA
High
35
0.45 5.09 0.03 1.13 0.32 5.09 4.25 2.77 3.11
ns
2.5 V LVCMOS
8 mA
High
35
0.45 3.56 0.03 0.96 0.32 3.40 3.56 1.78 1.91
ns
1.8 V LVCMOS
4 mA
High
35
0.45 4.74 0.03 0.90 0.32 4.02 4.74 1.80 1.85
ns
1.5 V LVCMOS
2 mA
High
35
0.45 5.71 0.03 1.06 0.32 4.71 5.71 1.83 1.83
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD-8B specification.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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