2-44 Revision 13 Timing Characteristics 1.5 V DC Core Voltage Table 2-50 3.3 V LVTTL / 3" />
參數(shù)資料
型號(hào): A3PE3000L-1FG484
廠商: Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù): 200/242頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 40
系列: ProASIC3EL
RAM 位總計(jì): 516096
輸入/輸出數(shù): 341
門(mén)數(shù): 3000000
電源電壓: 1.14V ~ 1.575 V
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 484-FPBGA(23x23)
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)當(dāng)前第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)第225頁(yè)第226頁(yè)第227頁(yè)第228頁(yè)第229頁(yè)第230頁(yè)第231頁(yè)第232頁(yè)第233頁(yè)第234頁(yè)第235頁(yè)第236頁(yè)第237頁(yè)第238頁(yè)第239頁(yè)第240頁(yè)第241頁(yè)第242頁(yè)
ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-44
Revision 13
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
Table 2-50 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.59
5.48 0.04 1.58 2.17
0.38
5.58 4.40 2.42 2.20
7.60
6.42
ns
–1
0.50
4.66 0.03 1.34 1.85
0.33
4.75 3.75 2.06 1.87
6.46
5.46
ns
8 mA
Std.
0.59
4.48 0.04 1.58 2.17
0.38
4.56 3.76 2.73 2.76
6.57
5.78
ns
–1
0.50
3.81 0.03 1.34 1.85
0.33
3.88 3.20 2.33 2.35
5.59
4.91
ns
12 mA
Std.
0.59
3.77 0.04 1.58 2.17
0.38
3.84 3.28 2.95 3.12
5.85
5.29
ns
–1
0.50
3.21 0.03 1.34 1.85
0.33
3.27 2.79 2.51 2.65
4.98
4.50
ns
16 mA
Std.
0.59
3.57 0.04 1.58 2.17
0.38
3.63 3.18 2.99 3.22
5.64
5.19
ns
–1
0.50
3.03 0.03 1.34 1.85
0.33
3.09 2.70 2.54 2.74
4.80
4.41
ns
24 mA
Std.
0.59
3.46 0.04 1.58 2.17
0.38
3.52 3.19 3.05 3.57
5.54
5.20
ns
–1
0.50
2.94 0.03 1.34 1.85
0.33
3.00 2.71 2.59 3.03
4.71
4.42
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-51 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.5 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.59
3.08 0.04 1.58 2.17
0.38
3.14 2.36 2.42 2.33
5.15
4.38
ns
–1
0.50
2.62 0.03 1.34 1.85
0.33
2.67 2.01 2.06 1.98
4.38
3.72
ns
8 mA
Std.
0.59
2.53 0.04 1.58 2.17
0.38
2.58 1.89 2.74 2.89
4.59
3.90
ns
–1
0.50
2.16 0.03 1.34 1.85
0.33
2.20 1.61 2.33 2.46
3.91
3.32
ns
12 mA
Std.
0.59
2.22 0.04 1.58 2.17
0.38
2.27 1.67 2.95 3.25
4.28
3.68
ns
–1
0.50
1.89 0.03 1.34 1.85
0.33
1.93 1.42 2.51 2.77
3.64
3.13
ns
16 mA
Std.
0.59
2.17 0.04 1.58 2.17
0.38
2.21 1.63 3.00 3.35
4.23
3.64
ns
–1
0.50
1.85 0.03 1.34 1.85
0.33
1.88 1.38 2.55 2.85
3.59
3.09
ns
24 mA
Std.
0.59
2.19 0.04 1.58 2.17
0.38
2.24 1.57 3.05 3.71
4.25
3.58
ns
–1
0.50
1.87 0.03 1.34 1.85
0.33
1.90 1.33 2.59 3.16
3.61
3.05
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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PDF描述
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A3PE3000L-1FG484M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA ProASIC?3EL Family 3M Gates 130nm Technology 1.2V/1.5V 484-Pin FBGA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3EL FAMILY 3M GATES 130NM (CMOS) TECHNOLOGY 1.2 - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 484FBGA
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A3PE3000L-1FG896I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列) 系列:ProASIC3EL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):129024 輸入/輸出數(shù):248 門(mén)數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類(lèi)型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP,帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP(75x75)
A3PE3000L-1FG896M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3EL FAMILY 3M GATES 130NM (CMOS) TECHNOLOGY 1.2 - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 620 I/O 896FBGA