2-78 Revision 13 Timing Characteristics 1.2 V DC Core Voltage Table 2-117 1.2 V LVCMOS L" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PE3000L-1FG484
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 237/242頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： ProASIC3EL
RAM 位總計(jì)： 516096
輸入/輸出數(shù)： 341
門數(shù)： 3000000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 484-FPBGA（23x23）
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ProASIC3L DC and Switching Characteristics
2-78
Revision 13
Timing Characteristics
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-117 1.2 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Unit
s
2 mA
Std.
0.77
11.80 0.05 2.38 3.52
0.50
10.97 8.61 4.79 4.38 12.91 10.55
ns
–1
0.66
10.04 0.04 2.02 2.99
0.43
9.33
7.32 4.08 3.72 10.98
8.97
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-118 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Unit
s
2 mA
Std.
0.77
4.84
0.05 2.38 3.52
0.50
4.50
3.96 4.78 4.51
6.44
5.90
ns
–1
0.66
4.12
0.04 2.02 2.99
0.43
3.83
3.37 4.06 3.84
5.48
5.02
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-119 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.70
8.77 0.05 1.82 0.50
6.17
5.45 2.80 2.77 8.11
7.39
ns
–1
0.60
7.46 0.04 1.55 0.43
5.25
4.63 2.39 2.35 6.90
6.28
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-120 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.70
3.73 0.05 1.82 0.50
2.48
2.06 2.80 2.89 4.42
4.00
ns
–1
0.60
3.17 0.04 1.55 0.43
2.11
1.76 2.38 2.46 3.76
3.41
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-121 1.2 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.14 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive Strength Speed Grade tDOUT tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.70
9.67 0.05 1.83 0.50
6.78
5.99 4.08 4.57 8.72
7.93
ns
–1
0.60
8.23 0.04 1.56 0.43
5.77
5.09 3.47 3.88 7.42
6.74
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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