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參數(shù)資料
| 型號： | A3PN030-Z2QNG48 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 66/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 30K GATES 48-QFN |
| 標準包裝： | 260 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| 輸入/輸出數(shù)： | 34 |
| 門數(shù)： | 30000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 48-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 48-QFN（6x6） |
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ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-41
Table 2-57 Parameter Definition and Measuring Nodes
Parameter Name
Parameter Definition
Measuring Nodes
(from, to)*
tOCLKQ
Clock-to-Q of the Output Data Register
HH, DOUT
tOSUD
Data Setup Time for the Output Data Register
FF, HH
tOHD
Data Hold Time for the Output Data Register
FF, HH
tOSUE
Enable Setup Time for the Output Data Register
GG, HH
tOHE
Enable Hold Time for the Output Data Register
GG, HH
tOCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Output Data Register
LL, DOUT
tOREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for the Output Data Register
LL, HH
tORECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Output Data Register
LL, HH
tOECLKQ
Clock-to-Q of the Output Enable Register
HH, EOUT
tOESUD
Data Setup Time for the Output Enable Register
JJ, HH
tOEHD
Data Hold Time for the Output Enable Register
JJ, HH
tOESUE
Enable Setup Time for the Output Enable Register
KK, HH
tOEHE
Enable Hold Time for the Output Enable Register
KK, HH
tOECLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Output Enable Register
II, EOUT
tOEREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for the Output Enable Register
II, HH
tOERECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Output Enable Register
II, HH
tICLKQ
Clock-to-Q of the Input Data Register
AA, EE
tISUD
Data Setup Time for the Input Data Register
CC, AA
tIHD
Data Hold Time for the Input Data Register
CC, AA
tISUE
Enable Setup Time for the Input Data Register
BB, AA
tIHE
Enable Hold Time for the Input Data Register
BB, AA
tICLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Input Data Register
DD, EE
tIREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for the Input Data Register
DD, AA
tIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Input Data Register
DD, AA
Note: *See Figure 2-11 on page 2-40 for more information.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMC49DRYS-S734 | CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD |
| ABC40DRYS-S734 | CONN EDGECARD 80POS DIP .100 SLD |
| GSC65DRTI-S13 | CONN EDGECARD 130PS .100 EXTEND |
| GCB85DHAN | CONN EDGECARD 170PS R/A .050 SLD |
| GCB85DHAD | CONN EDGECARD 170PS R/A .050 SLD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A3PN030-Z2QNG48I | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 48-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-Z2QNG68 | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-Z2QNG68I | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 68-QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-Z2VQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN030-Z2VQ100I | 功能描述:IC FPGA NANO 30K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
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