參數(shù)資料
型號： AD5160BRJZ10-R2
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大小： 0K
描述： IC POT DGTL SPI 256POS SOT23-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
接片： 256
電阻（歐姆）： 10k
電路數(shù)： 1
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 45 ppm/°C
存儲器類型： 易失
接口： 3 線串行（芯片選擇）
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-23-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-23-8
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： AD5160BRJZ10-R2DKR
AD5160
Rev. B | Page 12 of 1
6
TEST CIRCUITS
Figure 28 to Figure 36 illustrate the test circuits that define the test conditions used in the product specification tables.
VMS
A
W
DUT
B
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
V+
Figure 28. Test Circuit for Potentiometer Divider Nonlinearity Error (INL, DNL)
NO CONNECT
IW
VMS
A
W
B
DUT
Figure 29. Test Circuit for Resistor Position Nonlinearity Error
(Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
VMS1
IW = VDD/RNOMINAL
VMS2
VW
RW = [VMS1 – VMS2]/IW
A
W
DUT
B
Figure 30. Test Circuit for Wiper Resistance
ΔV
ΔVMS%
DD%
PSS (%/%) =
V+= VDD 10%
PSRR (dB) = 20 LOG
MS
DD
(
)
VDD
VA
VMS
A
W
B
V+
Figure 31. Test Circuit for Power Supply Sensitivity (PSS, PSSR)
OP279
W
5V
B
VOUT
OFFSET
A
DUT
GND
OFFSET
BIAS
VIN
Figure 32. Test Circuit for Inverting Gain
B
A
VIN
OP279
W
5V
VOUT
OFFSET
GND
OFFSET
BIAS
DUT
Figure 33. Test Circuit for Noninverting Gain
+15V
–15V
W
A
2.5V
B
VOUT
OFFSET
GND
DUT
AD8610
VIN
Figure 34. Test Circuit for Gain vs. Frequency
W
B
VSS TO VDD
DUT
ISW
CODE = 0x00
RSW =
0.1V
ISW
0.1V
Figure 35. Test Circuit for Incremental On Resistance
W
B
VCM
ICM
A
NC
VDD DUT
GND
NC
VSS
NC = NO CONNECT
Figure 36. Test Circuit for Common-Mode Leakage Current
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