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參數(shù)資料
| 型號： | ADG5233BRUZ-RL7 |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 11/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SW ANLG TRPL SPDT 16TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 3 x SPDT |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 170 歐姆 |
| 電壓電源： | 單/雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 40 V，± 9 V ~ 22 V |
| 電流 - 電源： | 80µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-TSSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
ADG5233/ADG5234
Rev. 0 | Page 19 of 24
TRENCH ISOLATION
is placed between the NMOS and the PMOS transistors of each
CMOS switch. Parasitic junctions, which occur between the
transistors in junction isolated switches, are eliminated, and the
result is a completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and
NMOS transistors form a diode that is reverse-biased under
normal operation. However, during overvoltage conditions, this
diode can become forward-biased. A silicon controlled rectifier
(SCR) type circuit is formed by the two transistors causing a
significant amplification of the current that, in turn, leads to
latch-up. With trench isolation, this diode is removed, and the
result is a latch-up proof switch.
NMOS
PMOS
PWELL
N WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
09
91
9-
0
38
Figure 35. Trench Isolation
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PDF描述 |
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| ADG5234BRUZ-RL7 | 功能描述:IC SW ANLG QUAD SPDT 20TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 其它有關(guān)文件:STG4159 View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:- 功能:開關(guān) 電路:1 x SPDT 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:300 毫歐 電壓電源:雙電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):±1.65 V ~ 4.8 V 電流 - 電源:50nA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:7-WFBGA，F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:7-覆晶 包裝:帶卷 (TR) |
| ADG5236 | 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:High Voltage Latch-Up Proof |
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