IDS V1 SD VS" />
參數(shù)資料
型號： ADG636YRUZ
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition
Switch Fundamentals
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 96
功能： 開關(guān)
電路： 2 x SPDT - NC/NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 290 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.7 V ~ 5.5 V，±2.7 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 1nA
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 14-TSSOP
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 803 (CN2011-ZH PDF)
ADG636
Rev. B | Page 13 of 16
TEST CIRCUITS
IDS
V1
SD
VS
RON = V1/IDS
02
75
4-
0
14
SD
VS
VD
IS (OFF)
ID (OFF)
A
02
75
4-
01
5
SD
VD
ID (ON)
A
NC
NC = NO CONNECT
02
75
4-
0
16
Figure 14. On Resistance
Figure 15. Off Leakage
Figure 16. On Leakage
VS
VDD
EN
A0
A1
50
2.4V
0.1F
S1A
VSS
GND
D1
VSS
VS1A
VOUT
RL
300
CL
35pF
S1B
VS1B
50%
90%
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VOUT
tTRANSITION
0V
3V
tTRANSITION
02
75
4-
01
7
Figure 17. Transition Time, tTRANSITION
50
RL
300
CL
35pF
VS
EN
A1
A0
2.4V
S1A
GND
D1
VS
VOUT
S1B
tBBM
80%
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VOUT
0V
3V
VDD
0.1F
VSS
80%
0
27
54
-0
18
Figure 18. Break-Before-Make Delay, tBBM
VDD
EN
A1
A0
S1A
VSS
GND
D1
VSS
VS
VOUT
RL
300
CL
35pF
S1B
VS
50
50%
90%
ENABLE
DRIVE (VIN)
OUTPUT
tON (EN)
0V
3V
tOFF (EN)
VOUT
0V
0.1F
50%
02
75
4-
01
9
Figure 19. Enable Delay, tON (EN), tOFF (EN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GRM2197U2A4R3CD01D CAP CER 4.3PF 100V U2J 0805
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GRM2197U2A3R3CD01D CAP CER 3.3PF 100V U2J 0805
GRM2197U2A2R7CD01D CAP CER 2.7PF 100V U2J 0805
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參數(shù)描述
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ADG636YRUZ1 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ?±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
ADG636YRUZ-REEL 功能描述:IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 功能:多路復(fù)用器 電路:1 x 4:1 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:- 電壓電源:雙電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):±5V 電流 - 電源:7mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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