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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADS6608A4A |
| 廠商： | ADATA Technology Co., Ltd. |
| 英文描述： | Synchronous DRAM(2M X 8 Bit X 4 Banks) |
| 中文描述： | 同步DRAM（2米× 8位× 4銀行） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 522K |
| 代理商： | ADS6608A4A |
A-Data
ADS6608A4A
Capacitance
TA=25
℃
, f-=1Mhz, VDD=3.3V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
CLK
Cl1
2.5
4
pF
Input capacitance
A0~A11,BA0,BA1,CKE,/CS,/RAS,
/CAS,/WE,DQM
Cl2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance DQM
CI/O
4
6.5
pF
Output load circuit
V
OH
(DC) = 2.4V,I
OH
= -2mA
V
OL
(DC) = 0.4V,I
OL
= 2mA
3.3 V
1200 ohms
870 ohms
50 pF
Output
DC Characteristics I
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -4mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= 4mA
Note :
1.V
IN
= 0 TO 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
= 0V.
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
= 0 to 3.6.
Rev 1 April, 2001
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADS6616A4A-5 | Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A | Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-6 | Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-7 | Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-7.5 | Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ADS6608A4A-75 | 制造商:A-DATA 制造商全稱:A-DATA 功能描述:Synchronous DRAM(2M X 8 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A | 制造商:A-DATA 制造商全稱:A-DATA 功能描述:Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-5 | 制造商:A-DATA 制造商全稱:A-DATA 功能描述:Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-6 | 制造商:A-DATA 制造商全稱:A-DATA 功能描述:Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
| ADS6616A4A-7 | 制造商:A-DATA 制造商全稱:A-DATA 功能描述:Synchronous DRAM(1M X 16 Bit X 4 Banks) |
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