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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AFS1500-1FGG676 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 174/334頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 8MB FLASH 1.5M 676-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 40 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位總計(jì)： | 276480 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 252 |
| 門數(shù)： | 1500000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 676-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 676-FBGA（27x27） |
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Fusion Family of Mixed Signal FPGAs
Revision 4
3-5
I/O Power-Up and Supply Voltage Thresholds for Power-On Reset
(Commercial and Industrial)
Sophisticated power-up management circuitry is designed into every Fusion device. These circuits
ensure easy transition from the powered off state to the powered up state of the device. The many
different supplies can power up in any sequence with minimized current spikes or surges. In addition, the
I/O will be in a known state through the power-up sequence. The basic principle is shown in Figure 3-1
There are five regions to consider during power-up.
Fusion I/Os are activated only if ALL of the following three conditions are met:
1. VCC and VCCI are above the minimum specified trip points (Figure 3-1).
2. VCCI > VCC – 0.75 V (typical).
3. Chip is in the operating mode.
VCCI Trip Point:
Ramping up: 0.6 V < trip_point_up < 1.2 V
Ramping down: 0.5 V < trip_point_down < 1.1 V
VCC Trip Point:
Ramping up: 0.6 V < trip_point_up < 1.1 V
Ramping down: 0.5 V < trip_point_down < 1 V
VCC and VCCI ramp-up trip points are about 100 mV higher than ramp-down trip points. This specifically
built-in hysteresis prevents undesirable power-up oscillations and current surges. Note the following:
During programming, I/Os become tristated and weakly pulled up to VCCI.
JTAG supply, PLL power supplies, and charge pump VPUMP supply have no influence on I/O
behavior.
Internal Power-Up Activation Sequence
1. Core
2. Input buffers
3. Output buffers, after 200 ns delay from input buffer activation
PLL Behavior at Brownout Condition
Microsemi recommends using monotonic power supplies or voltage regulators to ensure proper power-
up behavior. Power ramp-up should be monotonic at least until VCC and VCCPLX exceed brownout
activation levels. The VCC activation level is specified as 1.1 V worst-case (see Figure 3-1 on page 3-6
for more details).
When PLL power supply voltage and/or VCC levels drop below the VCC brownout levels
(0.75 V ± 0.25 V), the PLL output lock signal goes low and/or the output clock is lost.
Table 3-5 FPGA Programming, Storage, and Operating Limits
Product
Grade
Storage
Temperature
Element
Grade Programming
Cycles
Retention
Commercial
Min. TJ = 0°C
FPGA/FlashROM
500
20 years
Max. TJ = 85°C
Embedded Flash
< 1,000
20 years
< 10,000
10 years
< 15,000
5 years
Industrial
Min. TJ = –40°C
FPGA/FlashROM
500
20 years
Max. TJ = 100°C
Embedded Flash
< 1,000
20 years
< 10,000
10 years
< 15,000
5 years
相關(guān)PDF資料 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| AFS1500-1FGG676I | 功能描述:IC FPGA 8MB FLASH 1.5M 676-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):129024 輸入/輸出數(shù):248 門數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75） |
| AFS1500-1PQ256ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
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| AFS1500-1PQG256ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
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