Revision 17 3-3 should be treated as a sensitive asynchronous signal. When defining pin placement and board layou" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGLN125V5-VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 10/150頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 125K 1.5V 100VTQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 3072
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -20°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
其它名稱： 1100-1132
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)當(dāng)前第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
3-3
should be treated as a sensitive asynchronous signal. When defining pin placement and board layout,
simultaneously switching outputs (SSOs) and their effects on sensitive asynchronous pins must be
considered.
Unused FF or I/O pins are tristated with weak pull-up. This default configuration applies to both
Flash*Freeze mode and normal operation mode. No user intervention is required.
Table 3-1 shows the Flash*Freeze pin location on the available packages for IGLOO nano devices. The
Flash*Freeze pin location is independent of device (except for a PQ208 package), allowing migration to
larger or smaller IGLOO nano devices while maintaining the same pin location on the board. Refer to the
"Flash*Freeze Technology and Low Power Modes" chapter of the IGLOO nano FPGA Fabric User’s
Guide for more information on I/O states during Flash*Freeze mode.
JTAG Pins
Low power flash devices have a separate bank for the dedicated JTAG pins. The JTAG pins can be run
at any voltage from 1.5 V to 3.3 V (nominal). VCC must also be powered for the JTAG state machine to
operate, even if the device is in bypass mode; VJTAG alone is insufficient. Both VJTAG and VCC to the
part must be supplied to allow JTAG signals to transition the device. Isolating the JTAG power supply in a
separate I/O bank gives greater flexibility in supply selection and simplifies power supply and PCB
design. If the JTAG interface is neither used nor planned for use, the VJTAG pin together with the TRST
pin could be tied to GND.
TCK
Test Clock
Test clock input for JTAG boundary scan, ISP, and UJTAG. The TCK pin does not have an internal
pull-up/-down resistor. If JTAG is not used, Microsemi recommends tying off TCK to GND through a
resistor placed close to the FPGA pin. This prevents JTAG operation in case TMS enters an undesired
state.
Note that to operate at all VJTAG voltages, 500
to 1 k will satisfy the requirements. Refer to Table 3-2
for more information.
Table 3-1 Flash*Freeze Pin Locations for IGLOO nano Devices
Package
Flash*Freeze Pin
CS81/UC81
H2
QN48
14
QN68
18
VQ100
27
UC36
E2
Table 3-2 Recommended Tie-Off Values for the TCK and TRST Pins
VJTAG
Tie-Off Resistance 1,2
VJTAG at 3.3 V
200
to 1 k
VJTAG at 2.5 V
200
to 1 k
VJTAG at 1.8 V
500
to 1 k
VJTAG at 1.5 V
500
to 1 k
Notes:
1. The TCK pin can be pulled-up or pulled-down.
2. The TRST pin is pulled-down.
3. Equivalent parallel resistance if more than one device is on the JTAG chain
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