2-34 Revision 17 Applies to 1.2 V DC Core Voltage Table 2-49 2.5 LVCMOS Low Slew – Appl" />
參數(shù)資料
型號： AGLN125V5-VQG100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 97/150頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 125K 1.5V 100VTQFP
標(biāo)準包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 3072
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -20°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
其它名稱： 1100-1132
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-34
Revision 17
Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Table 2-49 2.5 LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
4.61 0.26 1.21
1.39
1.10
4.55 4.61 2.15 2.43
ns
4 mA
STD
1.55
4.61 0.26 1.21
1.39
1.10
4.55 4.61 2.15 2.43
ns
6 mA
STD
1.55
3.86 0.26 1.21
1.39
1.10
3.82 3.86 2.41 2.89
ns
8 mA
STD
1.55
3.86 0.26 1.21
1.39
1.10
3.82 3.86 2.41 2.89
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-50 2.5 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Drive Strength
Speed Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
STD
1.55
2.68 0.26 1.21
1.39
1.10
2.72 2.54 2.15 2.51
ns
4 mA
STD
1.55
2.68 0.26 1.21
1.39
1.10
2.72 2.54 2.15 2.51
ns
6 mA
STD
1.55
2.30 0.26 1.21
1.39
1.10
2.33 2.04 2.41 2.99
ns
8 mA
STD
1.55
2.30 0.26 1.21
1.39
1.10
2.33 2.04 2.41 2.99
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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PDF描述
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