型號: | AGR19030EU |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 6/11頁 |
文件大小: | 207K |
代理商: | AGR19030EU |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AGR19045EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR19045EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR19045EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR19060EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
AGR19060EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AGR19045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
AGR19060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
AGR19060EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
AGR19060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
AGR19090E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |