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參數資料
| 型號： | AGR19125EF |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | FM-2 |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | AGR19125EF |
6
Agere Systems Inc.
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
April 2004
AGR19125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 6. Two-Tone Gain vs. Output Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, POUT = 125 W (PEP), 100 kHz TONE SPACING.
Figure 7. Two-Tone Broadband Performance
12
13
14
15
16
10
100
1000
POUT, OUTPUT POWER (W) PEPS
Gp
s
,P
O
WE
R
GA
IN
(
d
B
)S
IDQ = 900 mA
IDQ = 1250 mA
IDQ = 1500 mA
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1880
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
2040
f, FREQUENCY (MHz)S
G
p
s
,
P
O
W
E
R
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DI
S
T
O
R
T
IO
N
S
(d
Bc
)S
EFFICIENCY
IRL
Gps
IMD3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19125EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR19125EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21010EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21010EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21180EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AGR19125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor |
| AGR19180EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR19K180EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21030EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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