參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21030EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 300K
代理商： AGR21030EU
8
Agere Systems Inc.
30 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
May 2004
AGR21030E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, F = 2140 MHz, IDQ = 300 mA CW input.
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
PIN (dBm)Z
PO
W
E
R
G
A
IN
(
d
B)
Z
-20.0
-18.0
-16.0
-14.0
-12.0
-10.0
-8.0
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
PH
ASE
(
D
EG
R
EES)
Z
AM to AM
(POWER
GAIN
[dB])
AM to PM
(PHASE
[degrees])
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
AGR21045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21060EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21090E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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