參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21090EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 399K
代理商： AGR21090EF
AGR21090E
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, POUT = 19 W, IDQ = 800 mA.
2 carrier W-CDMA 3GPP peak-to-average = 8.5 dB @ 0.01% CCDF, 10 MHz spacing, 3.84 MHz CBW.
Figure 8. Broadband Performance
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, POUT = 19 W, IDQ = 800 mA.
2 carrier W-CDMA 3GPP peak-to-average = 8.5 dB @ 0.01% CCDF, 10 MHz spacing, 3.84 MHz CBW.
Figure 9. Spectral Plot
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
FREQUENCY (MHz)Z
GA
IN
(d
B)
Z
-50.0
-40.0
-30.0
-20.0
-10.0
0.0
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
(%
),
IR
L
(d
B)
,
IM
3
(d
Bc
),
AC
PR
(d
Bc
)Z
GAIN
IRL
IM3
ACPR
IM3
ACPR
CENTER 2.140 GHz
SPAN 50 MHz
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
-0
+5
F2
F1
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PDF描述
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