參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21090EU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 399K
代理商： AGR21090EU
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21090E
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f0 = 2140 MHz, POUT = 90 W PEP.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 6. IMD vs. Tone Spacing
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, IDQ = 800 mA.
2 carrier W-CDMA 3GPP peak-to-average = 8.5 dB @ 0.01% CCDF, 10 MHz spacing, 3.84 MHz CBW.
Figure 7. Gain, Efficiency, IM3, and ACPR vs. Output Power
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
0.1
1
10
100
TWO-TONE SPACING (MHz)Z
IM
D
(d
Bc
)Z
IM7
IM5
IM3
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
POUT (W-AVERAGE)Z
GA
IN
(d
B)
Z
-50.0
-40.0
-30.0
-20.0
-10.0
0.0
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
(%
),
IM
3
(d
Bc
),
AC
PR
(d
Bc
)Z
GAIN
IM3
ACPR
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PDF描述
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